干法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù)。它是硅片表面物理和化學兩種過程平衡的結(jié)果。在半導體刻蝕工藝中，存在著兩個：離子銑是一種純物理刻蝕，可以做到各向異性刻蝕，但不能進行選擇性刻蝕；而濕法刻蝕如前面所述則恰恰相反。人們對這兩種過程進行折中，得到目前廣泛應用的一些干法刻蝕技術(shù)。這些工藝都具有各向異性刻蝕和選擇性刻蝕的特點。反應離子刻蝕通過活性離子對襯底的物理轟擊和化學反應雙重作用刻蝕。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點，同時兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點。硅片甩干機廠家硅片刻蝕工藝中用zui廣泛的主流刻蝕技術(shù)。

　　干法刻蝕借助等離子體中，產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個方向上的刻蝕速度不相同。濕法刻蝕是各向同性的刻蝕方法，利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料。通常，氮化硅、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)，二氧化硅采用濕法刻蝕技術(shù)，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。通過刻蝕，或者是形成了圖形線條，如多晶硅條、鋁條等，或者是裸露了硅本體，為將來的選擇摻雜確定了摻雜的窗口。

　　濕刻蝕，zui普遍、也是設備成本zui低的蝕刻方法。其影響被蝕刻物之蝕刻速率的因素有三：蝕刻液濃度、蝕刻液溫度、及攪拌之有無。定性而言，增加蝕刻溫度與加入攪拌，均能有效提高蝕刻速率；但濃度之影響則較不明確。